ARUAL-Tech

Main menu:

Установка прецизионной лазерной резки BlackStar

BlackStar
Система лазерной резки использует технологию “Zero Width Laser Dicing Technology®» (ZWLDT®), модифицированную для требований микроэлектроники и кремниевой технологии без изменения методов резки.
Благодаря первичной фокусировке лазерного луча BlackStar™ повышается количество выхода годных кристаллов и пропускная способность при минимизации зоны нагрева, что особенно актуально для энергоемких RF микро устройств и low-K пластин.
Система применима для резки различных полупроводниковых материалов таких как: кремний (Si), арсенид галлия (GaAs), германий (Ge), фосфат индия (InP), карбид кремния (SiC), Нитрид галлия (GaN), фосфат галлия (GaP) и других многослойных материалов, а также low-k и многослойных композиционных материалов.

BlackStar™ представляет собой альтернативу механической резке, имеющей такие недостатки как высокий уровень повреждения и увеличенные затраты на резку тонких слоев кремния, low-K и пластин из комплексных материалов.

Применения

Кремниевые пластины
Пластины полупроводниковых материалов
Многослойные подложки
LED подложки
Панели солнечных батарей

Материалы

Кремний
Low-K
Германий
Арсенид галлия
Металлизированные подложки

Характеристики

Примерная скорость скрайбирования 100 мм/с
Максимальный ход 320 х 320 мм.
Размер подложек в рамке до 12”
Рамки: Стандартные типы (5”, 6”, 8” или 12”)
Пленка: стандартная липкая, термическая, или УФ
Технология реза без сколов
Отсутствие перегрева подложки
Возможность обработки кусочков и микро дисплеев
Максимальная толщина обрабатываемого материала – 500µ